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U.S. Department of Energy
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薄い半導体の太陽電池膜の成膜方法。この方法では、このような熱蒸着やイオンの衝突などの物理的なプロセスは、基板上に元素半導体材料を堆積するために使用されます。
Industry:Energy
薄膜、ない結晶構造を持たないシリコン太陽電池。基板上にドープされたシリコンの層を堆積させることにより製造。単結晶シリコン多結晶シリコンも参照してください。
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p型半導体とn型半導体の間に層を真性半導体、半導体の光起電力（PV）装置の構造、この構造は、ほとんどの場合、アモルファスシリコン太陽電池のデバイスで使用されます。
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直流ヒューズは、可能な限り最高の電流を中断するのに十分なAICで評価されるべきである。
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金属板は、通常、バッテリーの電解液に浸漬化合物を、鉛および鉛。
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一時間以上の電流の流れ（アンペア）の測定は、バッテリ容量を測定するために使用。
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接合はp型層とn型層の間に形成された半導体の太陽電池のデバイス構造。
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時間と電流を監視する計器。表示は、現在（単位：アンペア）と時間（時間単位）の製品です。
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活物質は、パンチングメタルのポケットで開催されている電池のためのプレート。
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太陽の光線が表面に垂直な線となす角度。例えば、太陽を直接に面している面がゼロの入射太陽角度を持っているが、表面は太陽に平行な場合（たとえば、水平方向の屋上を打つ日の出）、入射角は90 °です。
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